IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO262]

Артикул: IRF5210LPBF
Ном. номер: 2602516821
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO262]
Фото 2/3 IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO262]Фото 3/3 IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO262]
Доступно на заказ 86 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
210 руб. × = 210 руб.
от 25 шт. — 181 руб.

Описание

The IRF5210LPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fast switching
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF5210S Datasheet
pdf, 192 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5210LPBF
IRF5210LPBF, IRF5210SPBF P-Channel MOSFET 100V 0.4A Data Sheet IRF5210LPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов