Мой регион: Россия

IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]

Ном. номер: 2602516821
Артикул: IRF5210LPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]
Фото 2/2 IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]
91 руб.
200 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 85 руб.
от 150 шт. — 84 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 91 руб.
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF5210S Datasheet
pdf, 192 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.