IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]

Артикул: IRF530A
Ном. номер: 9000119200
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]Фото 3/4 IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]Фото 4/4 IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Ожидается поступление на склад г.Москва: 29 сентября 2017 г. — 250 шт.
Возможна срочная доставка завтра
57 руб. × = 57 руб.
от 3 шт. — 45 руб.
от 30 шт. — 41 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF530A is a 100V N-channel Advanced Power MOSFET featured with avalanche rugged technology and rugged gate oxide technology. It has lower input capacitance and improved gate charge.

• Extended safe operating area
• Lower leakage current (10A maximum at VDS = 100V)
• Lower RDS (ON) (0.092R typical)
• ±20V Gate to source voltage
• 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 2.74°C/W Thermal resistance, junction to case

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF530A
pdf, 256 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF530A
Datasheet IRF530A
Datasheet IRF530A
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов