IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
от 50 шт. —
52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 57 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 | |
| Крутизна характеристики, S | 12 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Особенности | аудиоприложения | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF530NPBF
pdf, 192 КБ
Datasheet IRF530N
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
