IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![Фото 2/5 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/513/DOC004513835.jpg)
![Фото 3/5 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/513/DOC004513838.jpg)
![Фото 4/5 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC004519893.jpg)
![Фото 5/5 IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395416.jpg)
3858 шт. со склада г.Москва
140 руб.
52 руб.
от 50 шт. —
48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 52 руб.
Номенклатурный номер: 739429733
Артикул: IRF530NPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Infineon Technologies
Описание
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм
Технические параметры
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/9А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
Крутизна характеристики, S | 12 |
Корпус | TO-220AB |
Особенности | аудиоприложения |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Datasheet IRF530N
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают