Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

Артикул: IRF540NPBF
Ном. номер: 328928495
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
29 × = 29
от 50 шт. — 26 руб.
от 500 шт. — 25 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF540NPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
• Power dissipation Pd of 130W at 25°C
• Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF540NPBF Datasheet
pdf, 153 КБ
IRF540n datasheet
pdf, 102 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF540NPBF
IRF540NPbF, HEXFET Power MOSFET 100V 33A IRF540NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео