IRF60DM206, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Channel, 60 В, 130 А, 0.0022 Ом, DirectFET ME

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

Мин. кол-во для заказа 11 шт.

Добавить в корзину 11 шт. на сумму 2 750 руб.

Номенклатурный номер: 8037378947

Артикул: IRF60DM206

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

SP001561876

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0022Ом
Power Dissipation	96Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	HEXFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	130А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	96Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0022Ом
Стиль Корпуса Транзистора	DirectFET ME
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Вес, г	0.23

pdf, 524 КБ

Мы рекомендуем