Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]

Ном. номер: 53310
Артикул: IRF610PBF
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF610PBF, Транзистор, N-канал 200В 3.3А [TO-220AB]
32 руб.
1249 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 24 руб.
от 150 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 32 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRF610 datasheet
pdf, 174 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF610PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.