IRF6215STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
The Infineon IRF series single P-Channel power MOSFET. This MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.29 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
IRF6215SPBF Datasheet
pdf, 992 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов