IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211113.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
231 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 125Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 163 КБ
Datasheet
pdf, 146 КБ
IRF640 datasheet
pdf, 168 КБ
IRF640 Datasheet
pdf, 178 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF640, SiHF640
pdf, 162 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
