IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]

Артикул: IRF640PBF
Ном. номер: 2943
Производитель: Vishay
Фото 1/4 IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]Фото 3/4 IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]Фото 4/4 IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
34 руб. × = 34 руб.
от 50 шт. — 28 руб.
от 500 шт. — 27 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF640PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF640 datasheet
pdf, 168 КБ
IRF640 Datasheet
pdf, 178 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF640PBF
Datasheet IRF640PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов