IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]

Фото 2/5 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]Фото 3/5 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]Фото 4/5 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]Фото 5/5 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Фото 1/5 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
45 шт. со склада г.Москва
260 руб.
от 2 шт.170 руб.
от 5 шт.114 руб.
от 10 шт.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 626512696
Артикул: IRF640NSPBF
Производитель: International Rectifier

Описание

MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 72A Power Dissipation 150W Power, Pd 150W SMD Marking IRF640NS Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds 200V Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах