Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]

Артикул: IRF640NSPBF
Ном. номер: 626512696
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Фото 2/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]Фото 3/3 IRF640NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
42 × = 42
от 10 шт. — 34 руб.
от 250 шт. — 27.19 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NSPBF
Datasheet IRF640NSPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов