IRF6623TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 16А, 42Вт, DIRectFET
510 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
20V 5.7mΩ@15A,10V 2.2V@250uA null MG-WDSON-5 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 16A;55A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5.7mΩ@15A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.36nF@10V |
Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1.4W;42W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
Type | null |
Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Infineon Technologies IRF6623TRPBF
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов