IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX]
![Фото 1/4 IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX]](https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC005314169.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
от 5 шт. —
850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Описание
Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4800 |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DirectFET-MX |
| Part # Aliases: | IRF6727MTRPBF SP001530240 |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 49 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.84 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-1732612
pdf, 259 КБ
Документация
pdf, 262 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
