Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]

Ном. номер: 97598193
Артикул: IRF7103TRPBF
Производитель: International Rectifier
Фото 1/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Фото 2/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 3/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 4/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 5/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 6/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 7/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]Фото 8/8 IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
26 руб.
1542 шт. со склада г.Москва
от 10 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…3
Вес, г
0.15

Техническая документация

IRF7103
pdf, 171 КБ
irf7103pbf-1
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7103TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.