Мой регион: Россия

IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]

Ном. номер: 9000586841
Артикул: IRF7303TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
Фото 2/5 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]Фото 3/5 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]Фото 4/5 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]Фото 5/5 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
36 руб.
476 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 32 руб.
от 250 шт. — 31 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
21 руб. 589 шт. 1 шт. 183 шт.
от 323 шт. — 18.50 руб.
20 руб. 3 дня, 486 шт. 6 шт. 102 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The IRF7303TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Вес, г
0.15

Техническая документация

Datasheet IRF7303
pdf, 230 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7303TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.