Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]

IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

от 25 шт. — 91 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Номенклатурный номер: 9000578105

Артикул: IRF7311TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area.

Технические параметры

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	20
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15