Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]

Артикул: IRF7317PBF
Ном. номер: 9000009753
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]
Фото 2/3 IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]Фото 3/3 IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
34 × = 34
от 50 шт. — 30 руб.
от 95 шт. — 23 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7317PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29/58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
0.7/-0.7

Техническая документация

IRF7317PBF Datasheet
pdf, 236 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7317PBF
IRF7317PBF Data Sheet IRF7317PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов