IRF7317TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ

PartNumber: IRF7317TRPBF
Ном. номер: 8003807491
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7317TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ
Фото 2/2 IRF7317TRPBF, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.6 А, 20 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 700 мВ
Доступно на заказ 3320 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
87 руб. × = 435 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 76 руб.
от 100 шт. — 59 руб.

Описание

The IRF7317TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
6.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.023Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
700мВ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7317TRPBF
IRF7317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet