Мой регион: Россия

IRF7324TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -9 А, -20 В, 0.018 Ом, -4.5 В, -1 В

Ном. номер: 8196511605
PartNumber: IRF7324TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7324TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -9 А, -20 В, 0.018 Ом, -4.5 В, -1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7324TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -9 А, -20 В, 0.018 Ом, -4.5 В, -1 ВФото 3/3 IRF7324TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -9 А, -20 В, 0.018 Ом, -4.5 В, -1 В
180 руб.
10317 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 102 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
40 руб. 9251 шт. 1 шт. 98 шт.
от 173 шт. — 35.80 руб.
140 руб. 8 дней, 4300 шт. 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 84 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IRF7324TRPBF is a HEXFET® dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.

• Ruggedized design
• Trench technology
• Ultra low ON-resistance
• Low profile

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
17 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
170 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Максимальное сопротивление сток-исток
26 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 nC @ 5.0 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2940 пФ при -15 В
Тип канала
A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet IRF7324TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.