IRF7343PBF, Сборка транзисторная SMD (NP-каналы 55В 4,7А/-3,4А SO8)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 55V, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:4.7A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.043ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Power Dissipation Pd:2W, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | PIN |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.4@P ChannelI4.7@N Channel |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 50@10V@N ChannelI105@10V@P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 24@N ChannelI26@P Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 24@10V@N ChannelI26@10V@P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 740@25V@N ChannelI690@25V@P Channel |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7343 Datasheet
pdf, 183 КБ
Datasheet IRF7343TRPBF
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
