IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 25 шт. —
296 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7351TRPBF от известного производителя INFINEON - это высококачественный компонент для современной электроники. Благодаря монтажу в формате SMD, данный транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа на печатные платы. С током стока до 8 А и напряжением сток-исток в 60 В, он обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электрических цепей. Мощность транзистора составляет 2 Вт, что делает его достаточно мощным для большинства задач. Тип N-MOSFET указывает на использование N-канального металлооксидного полевого транзистора, что является стандартом в промышленности для высокоэффективных переключающих устройств. Корпус SO8 обеспечивает компактность и экономию пространства на плате. Покупая IRF7351TRPBF, вы получаете надежный компонент для ваших электронных проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 8 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 2 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 Ом/8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 18 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 285 КБ
Datasheet IRF7351
pdf, 282 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов