Мой регион: Россия

IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]

Ном. номер: 9000547574
Артикул: IRF7351TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Фото 2/2 IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
47 руб.
1715 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 43 руб.
от 250 шт. — 42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 47 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Вес, г
0.15

Техническая документация

Datasheet IRF7351
pdf, 282 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.