IRF7402

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 220 руб.

от 10 шт. — 189 руб.

от 16 шт. — 176.40 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8002025374

Электроэлемент

Single N-Channel 20 V 35 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	4000
Fall Time	32 ns
Forward Transconductance - Min	6.1 S
Height	1.75 mm
Id - Continuous Drain Current	6.8 A
Length	4.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SO-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	2.5 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	35 mOhms
Rise Time	47 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns
Typical Turn-On Delay Time	5.1 ns
Unit Weight	0.01787 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	0.7 V
Width	3.9 mm
Вес, г	2.5

pdf, 136 КБ

Мы рекомендуем