IRF7458TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 480 000 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 14А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.6 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SP001556100 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 14A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8mО© @ 14A,16V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF7458TRPBF
pdf, 130 КБ
Datasheet IRF7458TRPBF
pdf, 120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
