IRF7490TRPBF, SO-8 MOSFETs

IRF7490TRPBF, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 30 шт.107 руб.
от 100 шт.85.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Номенклатурный номер: 8017632122
Артикул: IRF7490TRPBF

Описание

The Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 5.4 A
Maximum Drain Source Resistance 0.039 O
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Threshold Voltage 20V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SO-8
Pin Count 8
Series HEXFET
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet IRF7490TRPBF
pdf, 149 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов