IRF7490TRPBF, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 30 шт. —
107 руб.
от 100 шт. —
85.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
The Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.039 O |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SO-8 |
Pin Count | 8 |
Series | HEXFET |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet IRF7490TRPBF
pdf, 149 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов