IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]

Фото 2/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]Фото 3/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]Фото 4/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]Фото 5/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]Фото 6/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]
Фото 1/6 IRF7495PBF, Транзистор N-CH 100V 7.3A, [SOIC-8]
86 шт. со склада г.Москва
43 руб.
от 25 шт.39 руб.
от 250 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 43 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 32010957
Артикул: IRF7495PBF
Производитель: International Rectifier

Описание

MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration (1+2+3)S, 4G, (8+7+6+5)D Power, Pd 2.5W Time, Fall 36ns Time, Rise 13ns Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs Max 20V
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 ом при 4.4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.15

Техническая документация

IRF7495 Datasheet
pdf, 602 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах