IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)

Артикул: IRF7509TRPBF
Ном. номер: 12837
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)
Фото 2/3 IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)Фото 3/3 IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
21 руб. × = 21 руб.
от 25 шт. — 18 руб.
от 250 шт. — 17 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7509TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Low profile
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
110/200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1/-1

Техническая документация

irf7509
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7509TRPBF
IRF7509 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet IRF7509TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов