IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)
![Фото 1/6 IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/308/DOC005308092.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 руб.
от 25 шт. —
68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 77 руб.
Описание
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.
Технические параметры
| Структура | N/P-каналы | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7/2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11 Ом/1.7А, 10В/0.2 Ом/1.2А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
| Крутизна характеристики, S | 1.9/0.92 | |
| Корпус | Micro-8/MSOP-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1/-1 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
