IRF7726TRPBF, MOSFET, P-CH, -30V, -7A, USOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
179 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 300 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
Power Dissipation | 1.79Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | µSOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | 0 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IRF7726TRPBF
pdf, 128 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов