IRF7726TRPBF, MOSFET, P-CH, -30V, -7A, USOIC-8

IRF7726TRPBF, MOSFET, P-CH, -30V, -7A, USOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.179 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 300 руб.
Номенклатурный номер: 8024018345
Артикул: IRF7726TRPBF

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.026Ом
Power Dissipation 1.79Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Стиль Корпуса Транзистора µSOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) 0
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet IRF7726TRPBF
pdf, 128 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов