IRF7807TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8]

IRF7807TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2863 шт. со склада г.Москва
17 руб.
от 50 шт.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 17 руб.
Номенклатурный номер: 9001231162
Артикул: IRF7807TR
PartNumber: UMW IRF7807TR

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 11 мОм/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 22
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 1.35…2.25
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet UMW IRF7807
pdf, 376 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.