IRF7842
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 5 шт. —
248 руб.
от 10 шт. —
221.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 40V, 18A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.25V; Pow
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 18 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.25 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 33@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4500@20V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 680 |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7842PBF Datasheet
pdf, 162 КБ
Документация
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
