IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 25 шт. —
172 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
30V HEXFET® Power MOSFETs
Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V IN / 1V to 3V OUT DC-DC synchronous buck converter applications.
Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V IN / 1V to 3V OUT DC-DC synchronous buck converter applications.
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 | |
Крутизна характеристики, S | 17/23 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов