IRF820APBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 ом при 1.5a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 | |
Крутизна характеристики, S | 3 | |
Корпус | to220ab | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 135 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 286 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 156 КБ
Документация
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов