IRF8252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin SOIC - Bulk (Alt: IRF8252PBF)
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
Package | 8SOIC |
Packaging | Rail/Tube |
RDS-on | 2.7@10V mOhm |
Typical Fall Time | 12 ns |
Typical Rise Time | 32 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
IRF8252PBF Datasheet
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов