IRF830BPBF, MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB

IRF830BPBF, MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 25 шт.225 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 400 руб.
Номенклатурный номер: 8000526940
Артикул: IRF830BPBF

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 1.2Ом
Power Dissipation 104Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции D Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока 5.3А
Полярность Транзистора N Channel
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 104Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1.2Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Вес, г 0.91

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов