IRF830BPBF, MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 25 шт. —
225 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
Power Dissipation | 104Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | D Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 5.3А |
Полярность Транзистора | N Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |
Вес, г | 0.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов