IRF9333
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
203 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9333TRPBF
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9.2 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 19.4@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC N |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 25 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@4.5VI25@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1110@25V |
Вес, г | 0.161 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов