IRF9640PBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 15 шт. —
103 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом/6.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Крутизна характеристики, S | 6 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet
pdf, 282 КБ
Datasheet IRF9640PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRF9640PBF
pdf, 281 КБ
IRF9640 Datasheet
pdf, 170 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF9640
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают