IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]

Артикул: IRF9952PBF
Ном. номер: 523757612
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Фото 2/3 IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]Фото 3/3 IRF9952PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
17 руб. × = 17 руб.
от 100 шт. — 12 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9952PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infra-red or wave soldering techniques.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Very low gate charge and switching losses
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100/250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-1/1

Дополнительная информация

Datasheet IRF9952PBF