IRF9953TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2Вт

IRF9953TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 35 шт.21 руб.
от 70 шт.18 руб.
Добавить в корзину 21 шт. на сумму 483 руб.
Номенклатурный номер: 8487791843
Артикул: IRF9953TRPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2Вт

Технические параметры

Корпус so-8
Continuous Drain Current (Id) 2.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V, 1A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 190pF@15V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 2W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 12nC@10V
Type 2 P-Channel
Вес, г 0.2

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов