IRF9953TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 35 шт. —
21 руб.
от 70 шт. —
18 руб.
Добавить в корзину 21 шт.
на сумму 483 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А, 2Вт
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Continuous Drain Current (Id) | 2.3A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V, 1A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@15V | |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
Power Dissipation (Pd) | 2W | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
Type | 2 P-Channel | |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Infineon Technologies IRF9953TRPBF
pdf, 206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов