Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFB4020PBF, Транзистор, Digital Audio ...

IRFB4020PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 200В, 18А [TO-220AB]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

от 15 шт. — 238 руб.

от 150 шт. — 230 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000087109

Артикул: IRFB4020PBF

Страна происхождения: СИНГАПУР

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.9V; Power Dissipation Pd:100W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Base Number:4020; Current Id Max:18A; N-channel Gate Charge:18nC; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:52A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.9V; Voltage Vgs th Min:3V

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	100
Крутизна характеристики, S	24
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	3…4.9
Вес, г	2.5