IRFB4137PBF, МОП-транзистор, N Канал, 38 А, 300 В, 0.056 Ом, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 400 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 230 руб.
от 100 шт. —
942 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 38А, 341Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 38A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5168pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 341W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 24A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 396 КБ
Datasheet IRFB4137PBF
pdf, 392 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
