IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]

Фото 2/5 IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]Фото 3/5 IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]Фото 4/5 IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]Фото 5/5 IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]
Фото 1/5 IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]
400 шт. со склада г.Москва
90 руб.
от 15 шт.82 руб.
от 150 шт.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 90 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000158292
Артикул: IRFB7440PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

The IRFB7440PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025 ом при 100a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 88
Корпус to220ab
Особенности низковольтные mosfets для сильноточных применений
Пороговое напряжение на затворе 2.2…3.9
Вес, г 2.5

Техническая документация

irfb7440pbf
pdf, 265 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7440PBF
Datasheet IRFB7440PBF
Datasheet IRFB7440PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах