IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB]

Артикул: IRFB7530PBF
Ном. номер: 9000217605
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В, 195А [TO-220AB]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
130 руб. × = 130 руб.
от 50 шт. — 119 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
низковольтные mosfets для сильноточных применений

Техническая документация

irfs7530pbf Datasheet
pdf, 654 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7530PBF
StrongIRFET, IRFB7530PbF, IRFS7530PbF, IRFSL7530PbF, HEXFET Power MOSFET IRFB7530PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов