IRFB7537PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 173А, 230Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 22 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFB7537PBF производства INFINEON – надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа THT и способен выдержать ток стока до 173А при напряжении сток-исток 60В. Его мощность составляет 230Вт, что гарантирует высокую производительность в широком спектре применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0033 Ом обеспечивает эффективную и экономичную работу. Применение компонента IRFB7537PBF обещает улучшение характеристик устройств в области преобразования энергии, автоматики и управления двигателями. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 173 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 230 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0033 |
Корпус | TO220AB |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки: | 173 A |
Pd - рассеивание мощности: | 230 W |
Qg - заряд затвора: | 142 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.75 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3.7 V |
Вид монтажа: | Through Hole |
Время нарастания: | 105 ns |
Время спада: | 84 ns |
Другие названия товара №: | IRFB7537PBF SP001570828 |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | StrongIRFET |
Конфигурация: | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 190 S |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | Infineon |
Размер фабричной упаковки: | 50 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
Типичное время задержки при включении: | 15 ns |
Торговая марка: | Infineon/IR |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 84 ns |
Forward Transconductance - Min | 190 S |
Id - Continuous Drain Current | 173 A |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | SP001570828 |
Pd - Power Dissipation | 230 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 142 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.75 mOhms |
Rise Time | 105 ns |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | StrongIRFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 82 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.7 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 173 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220AB |
Вес, г | 2.648 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов