IRFB7537PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 173А, 230Вт, TO220AB

Фото 1/6 IRFB7537PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 173А, 230Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 22 шт.130 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8012557420
Артикул: IRFB7537PBF

Описание

Описание Транзистор полевой IRFB7537PBF производства INFINEON – надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа THT и способен выдержать ток стока до 173А при напряжении сток-исток 60В. Его мощность составляет 230Вт, что гарантирует высокую производительность в широком спектре применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0033 Ом обеспечивает эффективную и экономичную работу. Применение компонента IRFB7537PBF обещает улучшение характеристик устройств в области преобразования энергии, автоматики и управления двигателями. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 173
Напряжение сток-исток, В 60
Мощность, Вт 230
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0033
Корпус TO220AB

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 173 A
Pd - рассеивание мощности: 230 W
Qg - заряд затвора: 142 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3.7 V
Вид монтажа: Through Hole
Время нарастания: 105 ns
Время спада: 84 ns
Другие названия товара №: IRFB7537PBF SP001570828
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Коммерческое обозначение: StrongIRFET
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 190 S
Максимальная рабочая температура: +175 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Infineon
Размер фабричной упаковки: 50
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 82 ns
Типичное время задержки при включении: 15 ns
Торговая марка: Infineon/IR
Упаковка / блок: TO-220-3
Упаковка: Tube
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 84 ns
Forward Transconductance - Min 190 S
Id - Continuous Drain Current 173 A
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part # Aliases SP001570828
Pd - Power Dissipation 230 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 142 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 2.75 mOhms
Rise Time 105 ns
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Tradename StrongIRFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 82 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 3.7 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 173 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220AB
Вес, г 2.648

Техническая документация

Datasheet
pdf, 654 КБ
Datasheet IRFB7537PBF
pdf, 655 КБ
irfs7537pbf Datasheet
pdf, 651 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов