IRFB7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 173 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В

Ном. номер: 8382288214
Артикул: IRFB7537PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 173 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 173 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 ВФото 3/3 IRFB7537PBF, МОП-транзистор, N Канал, 173 А, 60 В, 0.00275 Ом, 10 В, 3.7 В
220 руб.
194 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 159 руб.
от 100 шт. — 124 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
119 руб. 3-5 недель, 1509 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 114 руб.
от 25 шт. — 113 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The IRFB7537PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
1.95

Техническая документация

irfs7537pbf Datasheet
pdf, 651 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7537PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.