IRFB7540PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 110A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 26 шт. —
82 руб.
от 50 шт. —
77 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 110A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 110 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 5.1 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 160 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220AB | |
Pin Count | 3 | |
Series | StrongIRFET | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
Width | 4.83mm | |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов