IRFB7540PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 110A

Фото 1/5 IRFB7540PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 110A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 26 шт.82 руб.
от 50 шт.77 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Номенклатурный номер: 8009492623
Артикул: IRFB7540PBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 110A

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 110 A
Maximum Drain Source Resistance 5.1 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.7V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 160 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Series StrongIRFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 88 nC @ 10 V
Width 4.83mm
Вес, г 1.95

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 655 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов