IRFB7546PBF, MOSFET MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
137 руб.
от 500 шт. —
109.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
MOSFET, N CH, 60V, 75A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; Power Dissipation Pd:99W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 75A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 99W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 45A, 10V |
| Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв(ў |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 100ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Документация
pdf, 542 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
