IRFB7730PBF, Транзистор полевой N-канальный 75В 195А 375Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 50 шт. — 210 руб.

от 150 шт. — 194 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8000534223

Артикул: IRFB7730PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 75В 195А 375Вт

Корпус	TO-220AB
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0026Ом
Power Dissipation	375мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	75В
Непрерывный Ток Стока	195А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.7В
Рассеиваемая Мощность	375мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0026Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	195A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	407nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13660pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	375W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 100A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250ВµA
Вес, г	3.5