IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]

Артикул: IRFBE20PBF
Ном. номер: 10825
Производитель: Vishay
Фото 1/2 IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]
Фото 2/2 IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
270 руб. × = 270 руб.
от 25 шт. — 85 руб.
от 100 шт. — 65.20 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 2A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
6500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFBE20 datasheet
pdf, 171 КБ

Дополнительная информация

IRFBE20PBF Data Sheet IRFBE20PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов