IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]

Артикул: IRFD220PBF
Ном. номер: 22987
Производитель: Vishay
Фото 1/2 IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]
Фото 2/2 IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
43 руб. × = 43 руб.
от 5 шт. — 33 руб.
от 50 шт. — 29 руб.
Цена и наличие в магазинах


The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD220PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов