IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 5 шт. —
76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 9000359542
Артикул: IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6
PartNumber: IRFH5007TRPBF
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
МОП-транзистор 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
Qg - заряд затвора | 65 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 11 ns |
Высота | 0.83 mm |
Длина | 6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | PQFN-8 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 0.389 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 269 КБ
Datasheet IRFH5007TRPBF
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов