Мой регион: Россия

IRFH5010TRPBF

Ном. номер: 8721469116
PartNumber: IRFH5010TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5010TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
5275 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 99 руб.
от 250 шт. — 87 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
62 руб. 3875 шт. 1 шт. 66 шт.
от 113 шт. — 54.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Package Type
PQFN
Maximum Power Dissipation
250 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
5mm
Forward Transconductance
206s
Height
0.85mm
Dimensions
6 x 5 x 0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
27 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
8
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
4340 pF @ 25 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.