Мой регион: Россия

IRFH5304TRPBF

Ном. номер: 8161656461
PartNumber: IRFH5304TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5304TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
87 руб.
6558 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 69 руб.
от 100 шт. — 41 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 8 дней, 6750 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
79 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
46 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
88S
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
12 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
41 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2360 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.