IRFH7914TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
от 8000 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 224 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.35 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 4.6 ns |
| Высота | 0.83 mm |
| Длина | 6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 77 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Ширина | 5 mm |
| Вес, кг | 277 |
Техническая документация
Datasheet IRFH7914TRPBF
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
