IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 40А [PQFN-3.3x3.3]

Артикул: IRFHM830TRPBF
Ном. номер: 9000104747
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 40А [PQFN-3.3x3.3]
Фото 2/2 IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 40А [PQFN-3.3x3.3]
Есть в наличии 93 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
34 руб. × = 34 руб.
от 10 шт. — 23 руб.
от 100 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFHM830TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for battery protection, point of load ControlFET, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.

• Low RDS (ON) (<3.8mR) results in low conduction losses
• Low thermal resistance to PCB (<3.4°C/W) enables better thermal dissipation
• 100% Rg tested for increased reliability
• Halogen-free
• Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35

Техническая документация

IRFHM830PBF datasheet
pdf, 248 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFHM830TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов