IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
![Фото 1/4 IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]](https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC004005371.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 руб.
от 50 шт. —
81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 86 руб.
Описание
The Infineon IRFHM series is the 30V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0038 Ом/20А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 | |
| Крутизна характеристики, S | 52 | |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 859 КБ
Datasheet IRFHM830PBF
pdf, 248 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
